Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Applications    
 Suitable for high-density mounting due to compact package 
 High drain-source voltage 
 High speed switching  Maximum Ratings  (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 50 V DS Gate-Source voltage V ±7 V GSS DC I 100 D  Drain current mA Pulse I 200 DP  Drain power dissipation (Ta = 25°C)  P (Note) 200 mW D Channel temperature T 150 
C ch  Storage temperature range T−55~150 
C  stgJEDEC ― Note: Total rating,Mounted on FR4 board JEITA  SC-70 (6pin) 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm × 6)  TOSHIBA 2-2J1C Weight: 6.8 mg (typ.) 0.4 mm  Marking Equivalent Circuit  6 5 4 654Q1D M Q21 2 3 123  This transistor is a electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  1 2002-04-10 0.8 mm SSM6N17FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications