Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.8 ⎯ 1.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 3 V, I = 10 mA 25 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 10 mA, V = 4 V ⎯ 2.2 4.0 D GSDrain-Source ON resistance R Ω DS (ON)I = 10 mA, V = 2.5 V ⎯ 4.0 7.0 D GSInput capacitance C ⎯ 7.8 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 3.6 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 8.8 ⎯ pF ossTurn-on time t V = 5 V, I = 10 mA, ⎯ 50 ⎯ on DD DSwitching time ns V = 0~5 V Turn-off time t GS ⎯ 180 ⎯ off Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN5 VOUT90% 5 VIN10% 00 V10 μs VDD(c) V VOUT DD10% V = 5 V DD< Duty 1% = 90% V : t , t < 5 ns VIN r f DS (ON)t tr f (Z = 50 Ω) outCommon Source t ton off Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = 100 μA for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower GS (on) th GS (off)voltage than V . (Relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device.   2 2007-11-01 50 Ω R LSSM6N15FE (Q1, Q2 Common)    I – V I – V D DS D GS 250 1000Common  Common Source Source  Ta = 25°C 10 4 3 V = 3 V DS200 100  2.7 Ta = 100°C 150 10 2.5−25°C 25°C 100 1 2.3 50 0.1  V = 2.1 VGS 0 0.010 0.5 12 1.5 0 124 3   Drain-source voltage  V  (V) Gate-source voltage  V  (V) DS GS       R – I R – V DS (ON) D DS (ON) GS 10 6Common Source Common SourceI = 10 mA D Ta = 25°C 58   4 6 V = 2.5 V GSTa = 100°C  3 4 25°C 2 4 V−25°C2  1  0 00 40 80 200 120 160 0 241 6 8 0  Drain current  I  (mA) Gate-source voltage  V  (V) D GS       R – Ta V – Ta DS (ON) th 8 2Common Source Common Source  I = 10 mA D 1.8I = 0.1 mA D7  V = 3 V DS1.6 6 1.4 5  1.2V = 2.5 VGS 4 1 0.83  4 V0.6 2 0.4 1  0.2 0 0−25 0 25 100 50 150 75 125 −25 0 25 50 75 100 125 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2007-11-01 Drain-source on resistance Drain-source on resistance  R  (Ω) R  (Ω) Drain current  I  (mA) DS (ON) DS (ON) D     Drain-source on resistance  Gate threshold voltage  V  (V) R  (Ω) Drain current  I  (mA) th DS (ON) D    SSM6N15FE (Q1, Q2 Common)    ⎪Y ⎪ – I I – V fs D DR DS 1000 250Common Source  Common Source 500 V = 0 V V = 3 V GSDS 300 Ta = 25°C Ta = 25°C 200 D 100  I150 DR50 G 30 S 100 10  5 50 3   1 00 10 100 1000 0 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1 −1.2 −1.4  Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) D DS       t – I t – I D D 10000 10000Common Source Common Source V = 5 V V = 3 V 5000 5000DD DD V = 0~5 V V = 0~2.5 V GS GS3000 3000Ta = 25°C Ta = 25°C  toff toff t 1000 f 1000 500 500tf 300 300 ton 100 100tr ton 50 50 30 30tr   10 100.1 1 10 100 0.1 1 10 100  Drain current  I  (mA) Drain current  I  (mA) D D       C – V P * – Ta DS D 100 250Common Source Mounted on FR4 board. V = 0 V 50 GS(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t f = 1 MHz 230 Cu Pad: 0.135 mm × 6)  200Ta = 25°C  *: Total Rating  10  150Ciss 5  Coss 3  100Crss  1  0.5 50 0.3   0.1 00.1 1 10 100 0  40 80 120  160  Drain-source voltage  V  (V) Ambient temperature  Ta  (°C) DS *: Total rating 4 2007-11-01   Forward transfer admittance Capacitance  C  (pF) Switching time  t  (ns) ⏐Y ⏐  (mS) fs       Power dissipation  P *  (mW) Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) D DR    SSM6N15FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively “TOSHIBA”), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively “Product”) without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA’s written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product’s quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with (a) the latest versions of all relevant TOSHIBA information, including without limitation, this document, the specifications, the data sheets and application notes for Product and the precautions and conditions set forth in the “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” and (b) the instructions for the application that Product will be used with or for. Customers are solely responsible for all aspects of their own product design or

Small-signal MOSFET 2 in 1