Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnit V I = 0.1 mA, V = 0 V 30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 0.1 mA, V = -10 V  (Note 3) 16 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.8 ⎯ 1.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 3 V, I = 10 mA    (Note 2) 35 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = 10 mA, V = 4 V    (Note 2) ⎯ 2.3 3.6 D GSDrain-Source ON resistance R Ω DS (ON)I = 10 mA, V = 2.5 V  (Note 2) ⎯ 3.5 6.0 D GSInput capacitance C ⎯ 13.5 ⎯ issOutput capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 8.0 ⎯ pF DS GSossReverse transfer capacitance C ⎯ 6.5 ⎯ rssTurn-on time t ⎯ 5.5 ⎯ on V = 5 V, I = 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 5 V, R = 50 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 35 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = -100 mA, V = 0 V  (Note 2) ⎯ -0.85 -1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test Note 3: If a reverse bias is applied between gate and source, this device enters V(BR)DSX mode. Note that the drain-source breakdown voltage is lowered in this mode.  Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN  5 VOUT90%  5 V IN  10% 0 0 V  10 μs VDD (c) V VOUT DD90%  V = 5 V DD R = 50 Ω  G 10% Duty ≤ 1% VDS (ON) t tr f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source  t ton off Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = 0.1 mA for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower voltage GS (on) th GS (off)than V . (Relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device.  Do not use this device under avalanche mode. It may cause the device to break down.  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  Thermal resistance R and power dissipation P vary depending on board material, board area, board thickness  th (ch-a) Dand pad area. When using this device, please take heat dissipation into consideration 2 2014-03-01 R GR LSSM6N15AFE    I – V I – V D DS D GS 400 1000Common source 10 V Ta = 25 °C  4.0 V Pulse test 100300 3.0 V102.7 VTa = 100 °C200 2.5 V1− 25 °C 2.3 V25 °C100 0.1Common source V = 2.1 VGSV = 3 V  DSPulse test 0 0.010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 Drain-source voltage  V  (V) DSGate-source voltage  V  (V) GS  R – VDS (ON) GS  R – I DS (ON) D 6 12I = 10 mA D2.1 V 2.7 V 2.3 V 2.5 V Common source5 3.0 V 10Pulse test 4 84.0 V3 625 °C 2 V = 10 V 4GSTa = 100 °C21 Common sourceTa = 25°C  − 25 °CPulse test 0 00 0 400 2 6 4 8 10 100 200 300 Gate-source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D  R – Ta  V – Ta DS (ON) th 6 2.0Common source V = 3 V DS5 I = 0.1 mA DI = 10 mA / V = 2.5 V D GS4 3 1.02 10 mA / 4.0 V 1 Common source Pulse test 0 0−50 0 50 100 150−50 0 50 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01 Drain-source ON-resistance Drain-source ON-resistance  R  (Ω) R  (Ω) DS (ON) DS (ON) Drain current  I  (mA) D Gate threshold voltage  V  (V) th Drain current  I  (mA) DDrain-source ON-resistance  R  (Ω) DS (ON)SSM6N15AFE    I – V DR DS|Y | – I fs D 1000 1000Common source V = 3 V DS Ta=25°C Pulse test 100100 25 °C10Common sourceV = 0 V GSTa =100 °CPulse test 10 D  1IG DR−25 °C S 0.11 100 1 10 1000 0 –0.5 –1.0 –1.5Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) D DS   t – ID C – V DS1000100 Common source V = 5 V DDV = 0 to 5 V GStoffTa = 25 °C R = 50Ω G100tf10 Ciss10tonCossCommon source Ta = 25°C Crssf = 1 MHz V = 0 V tGS r1 10.1 1 10 100 1 100 10 1000Drain-source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D P * – T D a250 Mounted on FR4 board. 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm × 6)200 150 100 50 0 0 40 80 120 160Ambient temperature  Ta  (°C)  *:Total Rating 4 2014-03-01  Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsCapacitance  C  (pF) Power dissipation  P *  (mW) DSwitching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DRSSM6N15AFE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1