SSM6N04FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switch Applications Applications Unit: mm   
 With built-in gate-source resistor: R = 1 MΩ (typ.) GS
 2.5 V gate drive 
 Low gate threshold voltage: V = 0.7~1.3 V th
 Small package  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DSGate-source voltage V 10 V GSSDC drain current I 100 mA DPD Drain power dissipation 200 mW (Note)Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 
55~150 °C   stgJEDEC ― Note: Total rating JEITA ―   TOSHIBA 2-2J1C  Weight: 6.8 mg (typ.) Marking  Pin Assignment (top view)    (Q1, Q2 common)   Equivalent Circuit     1 2003-03-28 SSM6N04FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switch Applications