Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Applications    
 Input impedance is high. Driving current is extremely low. 
 Can be directly driven by a CMOS device even at low voltage due to low gate threshold voltage. 
 High-speed switching. 
 Housed in a ultra-small package which is suitable for high density mounting.     Maximum Ratings  (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DS Gate-source voltage V 10 V GSSDrain current I 100 mA D Drain power dissipation P (Note 1) 150 mW DJEDEC ― Channel temperature T 150 °C chJEITA ― Storage temperature T 
55~150 °C  stgTOSHIBA 2-2N1D Note 1: Total rating, mounted on FR4 board Weight:     g (typ.) 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.135 mm  6)  0.3 mm  Equivalent Circuit Marking (top view)  6 PIN 5 PIN 4 PIN 6 PIN 5 PIN 4 PIND A Q1 Q2 1 PIN 2 PIN 3 PIN 1 PIN 2 PIN 3 PIN  1 2001-11-14 0.45 mm SSM6N03FE

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications