Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV I = 1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = -10 V 12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V =20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 1A       (Note 2) 2.5 5.0 ⎯ S fs DS DI = 1 A, V = 4.0 V     (Note 2) ⎯ 87 119 D GSI = 1 A, V = 2.5 V     (Note 2) ⎯ 105 139 D GSDrain-source ON-resistance RmΩDS (ON)I = 0.8 A, V = 1.8 V   (Note 2) ⎯ 125 190 D GSI = 0.3 A, V = 1.5 V   (Note 2) ⎯ 145 247 D GSInput capacitance C ⎯ 260 ⎯ issV = 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz pF Output capacitance C ⎯ 45 ⎯ oss DS GSReverse transfer capacitance C ⎯ 37 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 7.5 ⎯ gGate−Source Charge Q V = 10 V, I = 1.6 A, V = 4 V ⎯ 5.6 ⎯ nC gs DS D GSGate−Drain Charge Q ⎯ 1.9 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 8.3 ⎯ on V = 10 V, I = 0.5 A DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS GTurn-off time t ⎯ 11.5 ⎯ off⎯ Drain-source forward voltage V I = -1.6 A, V = 0 V    (Note 2) -0.8 V DSF D GS -1.2 Q2

Small-signal MOSFET 2 in 1