Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitV I = 1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage VV I = 1 mA, V = - 10 V 12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V =20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 200 mA          (Note2) 420 840 ⎯ mSfs DS DI = 200 mA, V = 5.0 V        (Note2) ⎯ 0.46 0.63 D GSI = 200 mA, V = 4.5 V        (Note2) ⎯ 0.51 0.66 D GSDrain-source ON-resistance R ΩI = 200 mA, V = 2.5 V        (Note2) ⎯ 0.66 0.85 DS (ON) D GSI = 100 mA, V = 1.8 V        (Note2) ⎯ 0.81 1.14 D GSI = 50 mA, V = 1.5 V         (Note2) ⎯ 0.95 1.52 D GSInput capacitance C ⎯ 46 ⎯ issOutput capacitance C V = 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 10.8 ⎯ pFoss DS GSReverse transfer capacitance C ⎯ 7.3 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 1.23 ⎯ gQ Gate−Source Charge V = 10 V, I = 0.5 A, V = 4.0 V ⎯ 0.60 ⎯ nCgs DS D GSQ Gate−Drain Charge ⎯ 0.63 ⎯ gdTurn-on time t V = 10 V, I = 200 mA ⎯ 30 ⎯ on DD DSwitching time nsTurn-off time t V = 0 to 2.5 V, R = 50 Ω ⎯ 75 ⎯ GS GoffDrain-source forward voltage V I = -0.5 A, V = 0 V          (Note2) ⎯ -0.88 -1.2 VDSF D GS Q2

Small-signal MOSFET 2 in 1