Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition MIN. TYP. MAX.UNITGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.6 ⎯ 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 3 V, I = 10 mA    (Note2) 40 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 10 mA, V = 4 V    (Note2) ⎯ 1.5 3.0 D GSDrain-Source on-resistance R I = 10 mA, V = 2.5 V  (Note2) ⎯ 2.2 4.0 Ω DS (ON) D GSI = 1 mA, V = 1.5 V   (Note2) ⎯ 5.2 15 D GSInput capacitance C ⎯ 9.3 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 4.5 ⎯ pF DS GSrssOutput capacitance C ⎯ 9.8 ⎯ pF ossTurn-on time t ⎯ 70 ⎯ on V = 3 V, I = 10 mA, DD DSwitching time   ns V = 0 to 2.5 V Turn-off time t GS ⎯ 125 ⎯ offNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit OUT 2.5 V 90% 2.5 V (b) V ININ   10% 0  R L 0 V 10 μs V DDV  DD90% (c) V OUT V = 3 V DD Duty ≤ 1% 10%  V : t , t < 5 ns IN r fVDS (ON)t t(Z = 50 Ω) r f  outCommon Source  t tTa = 25°C on off   Precaution V can be expressed as the voltage between the gate and source when the low operating current value is I =  th D 0.1 mA for this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V GS (on) th GS (off)requires a lower voltage than V . (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on).Be sure to take this into consideration when using the device.   3 2014-03-01 50 Ω SSM6L16FE Q2

Small-signal MOSFET 2 in 1