Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V  I = 1 mA, V = − 12 V 10 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ± 12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ± 1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.6 A (Note 2) 2.3 3.75 ⎯ S fs DS DI = 0.6 A, V = 4.0 V (Note 2) ⎯ 116 143 D GSDrain-source ON-resistance R mΩ I = 0.4 A, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 134 178 DS (ON)D GSI = 0.2 A, V = 1.8 V (Note 2) ⎯ 160 235 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 268 ⎯ pF iss DS GSpF Output capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 44 ⎯ oss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 34 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t V = 10 V, I = 0.25 A, ⎯ 9 ⎯ on DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω ⎯ ⎯ Turn-off time t GS G 16 off⎯ Drain-source forward voltage V I = − 0.8 A, V = 0 V        (Note 2) − 0.8 V DSF D GS − 1.15Note 2 : Pulse test   Q2

Small-signal MOSFET 2 in 1