Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = 1 mA, V = 0 30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = −12 V 18 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.5 ⎯ 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.25 A (Note 2) 1.0 2.0 ⎯ S fs DS DI = 0.50 A, V = 4.5 V (Note 2) ⎯ 120 145D GSDrain-source on-resistance R mΩDS (ON)I = 0.25 A, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 140 180D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 245 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 33 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 41 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = 10 V, I = 0.25 A, ⎯ 9 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω ⎯ 15 ⎯ GS G offNote 2: Pulse test  Switching Time Test Circuit  (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90%OUT 2.5 V IN 10% 0 V0VDD(c) V 10 μs OUT90% V DD10% V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω t tG r f Duty ≤ 1% t t  V : t , t < 5 ns on offIN r fCommon Source Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =100 μA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration when using the device.  2 2010-02-15 R GSSM6L12TU Q2

Small-signal MOSFET 2 in 1