Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Electrical Characteristics  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V  
16 V, V  0   
1 A GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I  1 mA, V  0 30   V(BR) DSS D GSDrain cut-off current I V  20 V, V  0   1 A DSS DS GSGate threshold voltage V V  5 V, I  0.1 mA 1.1  1.8 Vth DS DForward transfer admittance Y  V  5 V, I  200 mA (Note2) 270   mSfs DS DI  200 mA, V  10 V (Note2)  0.53 0.7 D GSDrain-Source ON resistance R  I  200 mA, V  4 V (Note2)  0.8 1.2 DS (ON) D GSI  200 mA, V  3.3 V (Note2)  1.0 1.7 D GSInput capacitance C  20  pF issReverse transfer capacitance C V  5 V, V  0, f  1 MHz  7  pF DS GSrssOutput capacitance C  16  pF ossTurn-on time t V  5 V, I  200 mA,  72 on DD DSwitching time ns Turn-off time t V  0~4 V  68 GSoffNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit (Q1: Nch MOS FET)  (a) Test circuit (b) V IN4 VOUT90% 4 VIN10% 0R 0 VL10 s VDD (c) V VOUT DD10% V  5 V DD Duty 1% 90% V : t , t   5 ns IN r f VDS (ON)t tr f (Z  50 ) outCommon Source t ton off Ta  25°C  2 2003-02-19 50 
 0.8 mm SSM6L09FU Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I  100 A for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower GS (on) th GS (off)voltage than V . (Relationship can be established as follows: V  V  V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device. V recommended voltage of 4 V or higher to turn on this GSproduct.  Q2

Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications