Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Electrical Characteristics  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V  
12 V, V  0   
1 A GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I  1 mA, V  0 20   V(BR) DSS D GSDrain cut-off current I V  20 V, V  0   1 A DSS DS GSGate threshold voltage V V  3 V, I  0.1 mA 0.6  1.1 Vth DS DForward transfer admittance Y  V  3 V, I  200 mA (Note2) 350   mSfs DS DI  200 mA, V  4 V (Note2)  0.6 0.8 D GSDrain-Source ON resistance R  DS (ON)I  200 mA, V  2.5 V (Note2)  0.85 1.2 D GSInput capacitance C  22  pF issReverse transfer capacitance C V  3 V, V  0, f  1 MHz  9  pF rss DS GSOutput capacitance C  21  pF ossTurn-on time t V  3 V, I  100 mA,  60 on DD DSwitching time ns V  0~2.5 V Turn-off time t GS  70 offNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit (Q1: Nch MOS FET)  (a) Test circuit (b) V IN2.5 VOUT90% 2.5 VIN10% 0R 0 VL10 s VDD(c) V VOUT DD10% V  3 V DD Duty 1% 90% V : t , t   5 ns VIN r f DS (ON)t t  r f(Z  50 ) outCommon Source t t  on offTa  25°C  2 2002-01-17 50 
 SSM6L05FU Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I  100 A for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower GS (on) th GS (off)voltage than V . (Relationship can be established as follows: V  V  V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device. V recommended voltage of 2.5 V or higher to turn on GSthis product.  Q2

Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications