Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃) (Note) 1,2,5,6 : Drain  3      : Gate Characteristic Symbol Rating Unit UF6 4      : Source Drain–source voltage V 60 V DSS Gate–source voltage V±20 V GSS JEDEC ⎯  DC I 2 D Drain current A JEITA ⎯  Pulse I 6 DP Drain power dissipation  P (Note1) 500 mW TOSHIBA 2-2T1D D Channel temperature T 150 °C  ch Weight: 7mg (typ.) Storage temperature T−55 to 150 °C stg Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET