Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) (Note) 1,2,5,6 : Drain Characteristic Symbol Rating Unit 3   : Gate UF6 4   : source Drain-source voltage V 20 V DSS Gate-source voltage V ±10 V GSS JEDEC ― DC I 4.2 D Drain current A JEITA ― Pulse I 8.4 DP Drain power dissipation P (Note1) 500 mW TOSHIBA 2-2T1D D Channel temperature T 150 °C  chWeight:  7.0mg (typ.) Storage temperature T −55 to 150 °C  stgNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET