Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DSS Gate-source voltage V ± 10 V GSS DC I 3.2 D Drain current A Pulse I 6.4 DP 1,2, 5, 6: Drain Drain power dissipation P (Note 1) 500 mW D 3:     Gate 4:     Source Channel temperature T 150 °C  ES6 chStorage temperature T −55 to 150 °C stg JEDEC ― Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEITA ― temperature/current/voltage and the significant change in TOSHIBA 2-2N1J temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. Weight: 3 mg (typ.) operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET