Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 30 V DSS Gate-source voltage V ±20 V GSS DC I 1.4 D 1.2.5.6  : Drain Drain current A 3. : Gate Pulse I 2.8 DP 4.  : Source Drain power dissipation P (Note1) 500 mW D ES6 Channel temperature T 150 °C  chJEDEC ― Storage temperature T −55 to 150 °C  stgJEITA ― Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in TOSHIBA 2-2N1A  temperature, etc.) may cause this product to decrease in the Weight: 3 mg (typ.) reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET