Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain–source breakdown voltage V  I = 1 mA, V = –12 V 18 ⎯ ⎯ V (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 30 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ± 12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 1.5 A (Note2) 3.9 7.8 ⎯ S fs DS DI = 1.5 A, V = 4.0 V (Note2) ⎯ 66 85 D GSDrain–source ON-resistance R mΩ I = 1.0 A, V = 2.5 V (Note2) ⎯ 78 101 DS (ON) D GSI = 0.5 A, V = 1.8 V (Note2) ⎯ 95 145 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 270 ⎯ pF iss DS GSpF Output capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 56 ⎯ oss DS GSpF Reverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 47 ⎯ rss DS GSTurn-on time t V = 10 V, I = 2 A, ⎯ 20 ⎯ onDD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS G ⎯ ⎯ Turn-off time t 31 offDrain–source forward voltage V I = − 2.3 A, V = 0 V        (Note2) ⎯ – 0.85 – 1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test Start of commercial production2006-031 2014-03-01 SSM6K202FE Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90%OUT 2.5 V IN 10% 0 V0VDD(c) V 10 μs OUT10% V DD90% V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω tt G r fDuty ≤ 1% t tV : t , t < 5 ns on off IN r fCommon Source Ta = 25°C    Marking Equivalent Circuit (top view) 6 5 46 5 4     KL    1231 2 3   Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = 1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.   Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 R GSSM6K202FE     I – V I – V D DS D GS 5 10 10 V 4.0 V 2.5 V Common Source  V = 3 V DS4 1  1.8 V  3 0.1  Ta = 100 °C2 0.01 VGS = 1.5 V 25 °C  − 25 °C 1 0.001Common Source Ta = 25°C 0 0.00010 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 1.0 2.0 Drain–source voltage  V  (V) DSGate–source voltage  V  (V) GS  R – V R – I DS (ON) GS DS (ON) D200 200I = 0.5 A Common Source DTa = 25°C Common SourceTa = 25°C 150 150100 1001.8 VTa = 100 °C 2.5 V25 °C 5050 VGS = 4.0 V− 25 °C 0 00 2 4 6 8 10 0 1 3 4 52 Gate–source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (A) D  R – Ta V – Ta DS (ON) th1.0300 Common Source 250 200 0.5 A / 1.8 V 150 0.51.0 A / 2.5 V 100 Common source I = 1.5 A / V = 4.0 VD GS50 V = 3 V DSI = 1 mA D0 0−50 0 50 100 150−50 0 50 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain–source on-resistance Drain current  I  (A) DR  (mΩ) DS (ON)R  (mΩ) DS (ON) Drain current  I  (A) DDrain–source ON-resistance Gate threshold voltage  V  (V) thR  (mΩ) DS (ON)SSM6K202FE   I – V DR DS|Y | – I fs D10 10Common Source DV = 0 V GSTa = 25°C 13 I DR GS1 0.1Ta =100 °C25 °C 0.3 Common Source 0.01V = 3 V DSTa = 25°C −25 °C 0.0010.1 1 0.01 0.1 10 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0Drain current  I  (A) D Drain–source voltage  V  (V) DS C – V t – ID DS 10001000 Common SourceV = 10 V DD500 V = 0 to 2.5 VGStoffTa = 25°C 300 R = 4.7 Ω GCiss100tf100 50 10Common Source tonCossTa = 25°C 30 Crssf = 1 MHz trV = 0 V GS 10 10.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10Drain–source voltage  V  (V) Drain current  I  (A) DS D P – T D a1000  Mounted on an FR4 board 2(25.4 x 25.4 x 1.6 mm  Cu Pad : 645 mm ) P – T D a 800 600 400 200 0 –40 –20 0 20 40 60 80 100 140 160 120 Ambient temperature  Ta  (°C) 4 2014-03-01 Capacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (S) fsDrain Power Dissipation  P  (mW) D Drain reverse current  I  (A) DRSwitching time  t  (ns) SSM6K202FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET