Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converters High Speed Switching Applications Applications    
 Small package 
 Low on resistance : R = 130 mΩ max (@V = 10 V) on GS  : R = 220 mΩ max (@V = 4 V) on GS
 Low input capacitance : C = 102 pF typ. iss  : C = 22 pF typ. rss Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 30 V DSGate-source voltage V 
20 V GSSDC I 1.5 DDrain current A Pulse I 3.0 DP PD Drain power dissipation 300 mW JEDEC ― (Note 1)JEITA ― Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 55~150 °C TOSHIBA 2-2J1D stg Weight: 6.8 mg (typ.) Note 1: Mounted on FR4 board. 2 (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 0.32 mm  6)  Marking  Equivalent Circuit  (top view)     Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-03-28 SSM6K07FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converters High Speed Switching Applications