Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small package 
 Low on resistance : R = 160 mΩ max (@V = 4 V) on GS  : R = 210 mΩ max (@V = 2.5 V) on GS
 Low gate threshold voltage  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DSGate-source voltage V 
12 V GSSDC I 1.1 DDrain current A Pulse I 2.2 DPPD Drain power dissipation (Ta  25°C) 300 mW (Note 1) Channel temperature T 150 °C ch JEDEC ― Storage temperature range T 55~150 °C stg JEITA ― Note 1: Mounted on FR4 board. TOSHIBA 2-2J1D 2 (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 0.32 mm  6) Figure 1. Weight: 6.8 mg (typ.)   Marking  Equivalent Circuit  (top view)    Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-03-28 SSM6K06FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications