Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) 3 4Characteristic Symbol Rating Unit Drain–source voltage V −30 V DSS Gate–source voltage V ±20 V GSS DC I −2.0 D Drain current A Pulse I −4.0 DPDrain power dissipation P (注1) 500 mW DChannel temperature T 150 °C ch UF6 Storage temperature T −55 to 150 °C stg Note 1: Mounted on an FR4 board JEDEC ― 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )   JEITA ―   TOSHIBA 2-2T1D  Weight: 7.0 mg (typ.)

Small-signal MOSFET