Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) 3 4Characteristic Symbol Rating Unit Drain–source voltage V −30 V DSS Gate–source voltage V ±20 V GSS DC I −2.5 D Drain current A 1, 2, 5, 6 : Drain Pulse I −5.0 DP3    : Gate Drain power dissipation P (Note1) 500 mW D 4    : Source UF6 Channel temperature T 150 °C  chStorage temperature T −55 to 150 °C stg JEDEC ― Note 1: Mounted on an FR4 board JEITA ― 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm ) TOSHIBA 2-2T1D  Weight: 7.0 mg (typ.)

Small-signal MOSFET