Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ± 12V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = -1 mA, V = 0 -20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = -1 mA, V = +12 V -8 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = -20 V, V = 0 ⎯ ⎯ -1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -0.1 mA -0.5 ⎯ -1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -0.25 A (Note2) 0.65 1.3 ⎯ S fs DS DI = -0.25 A, V = -4 V (Note2) ⎯ 210 260D GSDrain-Source on-resistance R mΩDS (ON)I = -0.25 A, V = -2.5 V (Note2) ⎯ 310 430D GSInput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 218 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 42 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 52 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = -10 V, I = -0.25 A, ⎯ 16 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to -2.5 V, R = 4.7 Ω ⎯ 15 ⎯ GS G offNote2: Pulse test   Switching Time Test Circuit     (a) Test circuit (b) V IN 0 VOUT 10% 0  IN  90%  −2.5V R −2.5 VL 10 μs V DD (c) V  VOUT DS (ON)90%  V = -10 V DD R = 4.7 Ω G10%  Duty ≤ 1% V DDt t r f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source t ton off  Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I 100 μA for th D = -this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration when using the device.            2 2014-03-01 R GSSM6J25FE ID - VDS ID - VGS-10000-1600-1400-5.0 -3.01000--1200-2.0100--1000-4.010-800-Ta=100°C-1.8-600-1 25°-400VGS=-1.6-25°C-0.1 Common SourceCommon Source-200VDS=-3VTa=25°C- 0.0100 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -10 -1 -2 -3Drain-Source voltage  VDS (V) Gate-Source voltage  VGS (V)-RDS(ON) - VGSRDS(ON) - ID500500Common SourceID=-250mA400400-2.5V300300200200VGS=-4V Ta=100°C25°C100100-25°CCommon SourceTa=25°C000 -200 -400 -600 -800 -1000 -1200 -1400 -1600 0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10Drain current  ID (mA) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - TaVth - Ta500-1Common SourceID=-250mA-0.8400-2.5V-0.6300VGS=-4V-0.4200Common Source-0.2100ID=-0.1mAVDS=-3V00-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature  Ta (°C)Ambient temperature  Ta (°C) 3 2014-03-01 Drain-Source on resistance Drain-Source on resistance RDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ)Drain current  ID (mA)Drain-Source on resistanceDrain current  ID (mA) RDS(ON) (mΩ)Gate threshold voltage  Vth(V)SSM6J25FE  |Yfs| - IDIDR - VDS101600Common Source1400VGS=0VTa=25°C120025°C1000-25°C1800Ta=100°C600400Common SourceVDS=-3V200Ta=25°C00-10 -100 -1000 -100000.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0Drain-Source voltage  VDS (V)Drain current  ID (mA)C - VDS t - ID1000 1000Common SourceVDD=-10VVGS=0 2.5V~-Ta=25°CtoffCiss 100tf100ton10CossCommon SourceCrsstrVGS=0Vf=1MHzTa=25°C10 1-0 -1 -10 -100 -10 -100 -1000 -10000Drain current  ID (mA)Drain-Source voltage  VDS (V)PD - Ta1000mounted FR4 board(25.4mm*25.4mm*1.6t2Cu Pad :645mm )800600DC40020000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature Ta( )℃4 2014-03-01 Forward transfer admittanceDrain power dissipation PD(mW) Capacitance  C (pF)|Yfs| (S)Drain reverse current  IDR (mA)Switching time  t (ns)SSM6J25FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET