Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage V -20 V DSS Gate-source voltage V ± 8 V GSS I (Note 1)DC -2.6 DDrain current A I (Note 1)Pulse DP -5.2 P (Note 2)D 500 Power dissipation mW  t = 10s 700 1,2,5,6 ： Drain Channel temperature T 150 °C  chES6 3      ： Gate Storage temperature range T −55 to 150 °C stg 4      ： SourceNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in JEDEC ― temperature, etc.) may cause this product to decrease in the JEITA ― reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the TOSHIBA 2-2N1J

Small-signal MOSFET