SSM6J212FE

Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage V -20 V DSS Gate-source voltage V ± 8 V GSS I (Note 1)DC D -4.0 Drain current A I (Note 1)Pulse DP -8.0 1,2,5,6 ： Drain P (Note 2)500 D Power dissipation mW 3      ： Gate  t = 10s 700 4      ： SourceES6 Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T −55 to 150 °C stg JEDEC ― JEITA ― Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in TOSHIBA 2-2N1J temperature, etc.) may cause this product to decrease in the Weight : 3mg ( typ. ) reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET