Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV  I = −1 mA, V = 0 −30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain–source breakdown voltage V V  I = −1 mA, V = + 20 V −15 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = −30 V, V = 0 ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = −5 V, I = −1 mA −1.2 ⎯ −2.6 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = −5 V, I =− 0.65 A (Note 2) 0.8 1.5 ⎯ S fs DS DI = −0.65 A, V = −10 V (Note 2) ⎯ 191 251 D GSDrain–source ON-resistance R mΩ DS (ON)I = −0.4 A, V = −4 V (Note 2) ⎯ 371 491 D GSInput capacitance C V = −15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 137 ⎯ pF iss DS GSOutput capacitance C V = −15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 39 ⎯ pF oss DS GSReverse transfer capacitance C V = −15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 20 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t ⎯ 15 ⎯ on V = −15 V, I = −0.65 A, DD DSwitching time ns V = 0 to −4 V, R = 10 Ω Turn-off time t GS G 14 off ⎯ ⎯ Drain–source forward voltage V I = 1.4 A, V = 0 V          (Note 2) 0.85 1.2 V DSF D GS ⎯ Note 2: Pulse test Start of commercial production2005-121 2014-03-01 SSM6J207FE Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit  (b) V IN0 VOUT 10%0  IN  90%  −4 V R L −4 V 10 μs  V DD(c) V VOUT DS (ON)90%  V = −15 V DD R = 10 Ω G 10% Duty ≤ 1% V DD t tr f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source t t on off Ta = 25°C     Marking Equivalent Circuit (top view) 6 5 4 6 5 4KT 1 2 3 123  Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = -1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.     Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 R GSSM6J207FE      I – V D DSI – V D GS –3.0 –10  –2.5 –1  –2.0   –0.1 –1.5 Ta = 100 °C 25 °C –0.01 –1.0   –0.5 –0.001  0 –0.00010 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1 0 –0.5 –1.0 –1.5 –2.0 –2.5 –3.0 –3.5 –4.0  Drain–source voltage  V  (V) DSGate–source voltage  V  (V) GS       R – I R – VDS (ON) GS DS (ON) D 10001000  I = −0.65 A DCommon Source 900900  Common SourceTa = 25°C 800 800 700  700 600 600 500 50025 °C  VGS = – 4.0V 400 400 Ta =100 °C300 300 200 200 – 10 V −25 °C 100 100 0 00 –2 –4 –6 –8 –10–2.0 0 –0.5 –1.0 –1.5 –2.5 –3.0  Gate–source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (A) D      R – Ta V – Ta DS (ON) th 1000 –2.0 Common Source  800  –1.5  600  –1.0I = −0.4 A  / V = –4.0 V D GS 400   –0.5200 Common source  –0.65 A / –10 V V = −5 V DS I = −1 mA D 00 −50 0 50 100 150 −50 0 50 100 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain–source on-resistance Drain current  I  (A) DR  (mΩ) DS (ON)R  (mΩ) DS (ON) Drain current  I  (A) DDrain–source ON-resistance Gate threshold voltage  V  (V) thR  (mΩ) DS (ON)SSM6J207FE     I – V DR DS|Y | – I  fs D10 10 Common Source DCommon Source  V = 0 V GSV = −5 V DS 1Ta = 25°C Ta = 25°C IDR3   G S0.1 1   0.01 0.3  0.001  −25 °C 0.00010.1  –0.1 –1 –10–0.01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.0  Drain current  I  (A) D Drain–source voltage  V  (V) DS        t – ID C – V DS600 1000  toff 500  100300    100  t10 on 50  C toss r30  C rss  10 1–0.1 –1 –10 –100 –0.01 –0.1 –1 –10  Drain current  I  (A) D Drain–source voltage  V  (V) DS    PD - Ta1000 Mounted on an FR4 board (25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mm 800  600  400   200  0 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient Temperature Ta (°C)   4 2014-03-01 Capacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (S) fs Drain Power Dissipation PD (mW)Drain reverse current  I  (A) DRSwitching time  t  (ns) SSM6J207FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET