Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV  I = − 1 mA, V = 0 − 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V  I = − 1 mA, V = + 8 V − 12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = − 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ − 10 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±  8 V, V = 0 ⎯ ⎯ ± 1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = − 3 V, I = − 1 mA − 0.3 ⎯ − 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = − 3 V, I = −  0.6 A (Note 2) 1.5 2.5 ⎯ S fs DS DI = − 0.6 A, V = − 4.0 V (Note 2) ⎯ 175 234 D GSDrain-source ON-resistance R mΩ I = − 0.4 A, V = − 2.5 V (Note 2) ⎯ 230 306 DS (ON) D GSI = − 0.1 A, V = − 1.8 V (Note 2) ⎯ 300 460 D GSInput capacitance C V = − 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 250 ⎯ pF iss DS GSpF Output capacitance C V = − 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 45 ⎯ oss DS GSReverse transfer capacitance C V = − 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 35 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t V = − 10 V, I = − 0.25 A, ⎯ 12 ⎯ on DD DSwitching time ns V = 0 to − 2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 18 ⎯ off⎯ Drain-source forward voltage V I = 0.8 A, V = 0 V          (Note 2) 0.85 1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test Start of commercial production2005-111 2014-03-01 SSM6J205FE Switching Time Test Circuit  (a) Test Circuit  (b) V IN0 VOUT 10 %0  IN  90 %  − 2.5 V  R L −2.5 V 10 μs  V DD(c) V VOUT DS (ON)90 %  V = – 10 V DD R = 4.7 Ω G 10 % Duty ≤ 1 % V DD t tr f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source t t on off Ta = 25 °C   Marking Equivalent Circuit (top view) 6 5 46 5 4 KO 1231 2 3      Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = − 1 mA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th, GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 R GSSM6J205FE  ID - VGSID - VDS10-5- 10 - 4.01-4- 2.5Ta = 85 °C0.1-3-2 0.01- 1.825 °C- 25 °C-1 0.001- 1.5Common SourceCommon SourceVDS = - 3 VVGS = - 1.2Ta = 25 °C-0 0.0001-0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 01 2Gate-Source Voltage VGS (V)Drain-Source Voltage V (V)DSR (ON) - VDS GSRDS(ON) - Ta400300Common SourceCommon SourceTa = 25 °C 350250- 0.8 A300200- 1.8 V , - 0.1 A250- 0.4 A150 200ID = - 0.1 A - 2.5 V , - 0.4 A150100VGS = - 4 V , ID = - 0.8 A100505000-0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Gate-Source Voltage VGS (V)Ambient Temperature Ta( )℃RDS(ON) - IDVth - Ta400-1Common Source350ID = - 1 mA-0.8VDS = - 3 V300- 1.8 V250-0.6200- 2.5 V -0.4150VGS = - 4 V100-0.2Common Source50Ta = 25 °C-00-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160-0 -1 -2 -3 -4 -5Ambient Temperature Ta(°C)Drain Current ID (A)3 2014-03-01 Drain-Source ON-ResistanceDrain-Source ON-ResistanceRDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ)Drain Current ID (A)Drain-Source ON-ResistanceDrain Current I (A)D RDS(ON) (mΩ)Gate Threshold Voltage Vth(V)SSM6J205FE  |Yfs| - IDIDR - VDS10.0 -10Common SourceVGS = 0 VTa = 25 °C25 °C-1- 25 °C25 °CTa = 85 °C - 25 °C1.0-0.1Ta = 85 °C-0.01Common SourceVDS = - 3 VTa = 25 °C0.1-0.001-0.01 -0.1 -1 -100 0.2 0.4 0.6 0.8 1Drain-Source Voltage V (V)DSDrain Current ID (A)t - IDC - VDS10001000Common SourceVDD = 10 VVGS = 0 to 2.5 VtoffTa = 25 °CCiss100tf100ton10Common Source CosstrVGS = 0 VCrssf = 1 MHzTa = 25 °C10 10.1 1 10 100 -0.01 -0.1 -1 -10Drain Current ID (A)Drain-Source Voltage VDS (V)PD - Ta1000Mounted on an FR4 board(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mm80060040020000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient Temperature Ta (°C)4 2014-03-01 Forward Transfer Admittance|Yfs| (S)Capacitance C (pF)Drain Power Dissipation PD (mW)Drain Reverse Current IDR (A)Switching Time t (ns)SSM6J205FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET