Multi-Chip Device Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS II) + N-Channel MOS Type (Planer) Load Switch Applications features low R and low-voltage operation DS (ON) Q1 Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
12 V DS Gate-Source voltage V 12 V GSSDC I 
1.0 DDrain current A Pulse I (Note 2) 
2.0 DP Q2 Maximum Ratings (Ta 

 25°C)    

 Characteristics Symbol Rating Unit JEDEC ― Drain-Source voltage V 20 V DS JEITA ― Gate-Source voltage V 10 V GSSTOSHIBA ― DC I 0.05 DDrain current A Weight: 7.0 mg (typ.) Pulse I (Note 2) 0.2 DP Maximum Ratings (Q1, Q2 common) (Ta 



 25°C)    Characteristics Symbol Rating Unit Drain power dissipation P (Note 1) 0.5 W DChannel temperature T 150 °C chStorage temperature range T 
55~150 °C stg2Note 1: Mounted on an FR4 board (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm ) Note 2: Pulse width limited by maximum channel temperature.  Marking Equivalent Circuit (top view)  6 5 4 6 5 4Q1Q2KTA 1 2 3 1 2 3 1 2003-01-16 SSM6E01TU Handling Precaution This product has a MOS structure and is sensitive to electrostatic discharge. When handling individual devices (that have not yet been mounted on a PCB), ensure that the environment is protected against static electricity. Operators should wear anti-static clothing, containers and other objects which may come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. Thermal resistance R and drain power dissipation PD vary depending on board material, board area, board th (j-a)thickness and pad area. When using this device, please take heat dissipation into consideration.  2 2003-01-16 SSM6E01TU Q1

Multi-Chip Device Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS II) + N-Channel MOS Type (Planer) Load Switch Applications