Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Applications    
 Suitable for high-density mounting due to compact package 
 Low on resistance: R = 3.0 Ω (max) (@V = 4 V) on GS  : R = 4.0 Ω (max) (@V = 2.5 V) on GS  : R = 15 Ω (max) (@V = 1.5 V) on GS Maximum Ratings  (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 20 V DS Gate-Source voltage V 
10 V GSS DC I 100 D  Drain current mA Pulse I 200 DP  Drain power dissipation (Ta  25°C)  P (Note) 200 mW D  Channel temperature T 150 C ch JEDEC ― Storage temperature range T 55~150 C  stgJEITA ― Note: Total rating TOSHIBA 2-2L1B   Marking Equivalent Circuit  5 4   54Q1 Q2D S 1 2 3    123 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2001-12-18 SSM5N16FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications