Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Applications    
 Small package 
 Low ON resistance : R = 4.0 Ω (max) (@V = 4 V) on GS  : R = 7.0 Ω (max) (@V = 2.5 V) on GS Maximum Ratings   (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 Common)  Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 30 V DS Gate-Source voltage V 
20 V GSSDC I 100 DDrain current mA Pulse I 200 DPDrain power dissipation (Ta  25°C) P (Note) 150 mW DChannel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 55~150 °C stgJEDEC ― Note: Total rating, mounted on FR4 board JEITA ― 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.135 mm  5) TOSHIBA 2-2P1B  Weight: 0.003 g (typ.) 0.3 mm  Marking Equivalent Circuit  (top view) 5 4   54D P Q1 Q21 2 3    123 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. 1 2001-10-30 0.45 mm SSM5N15FE

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications