Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small package 
 Low on resistance : R = 0.8 Ω (max) (@V = 4 V) on GS  : R = 1.2 Ω (max) (@V = 2.5 V) on GS
 Low gate threshold voltage  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 20 V DS Gate-Source voltage V 
12 V GSSDC I 400 DDrain current mA Pulse I 800 DPDrain power dissipation (Ta  25°C) P (Note1) 300 mW D Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 55~150 °C stg JEDEC ― JEITA ― Note1: Total rating, mounted on FR4 board 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm  5) TOSHIBA 2-2L1B  Weight: 6.2 mg (typ.)  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.   1 2002-01-24 SSM5N05FU Marking Equivalent Circuit  (top view) 5 4 54D F Q1 Q21 2 3 123

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications