Multi-chip discrete device (N-ch + switching diode) Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V  I = 1 mA, V = − 10 V 12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ± 10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 1.0 A (Note 3) 3.5 7 ⎯ S fs DS DI = 1.5 A, V = 4.0 V (Note 3) ⎯ 53 65 D GSI = 1.5 A, V = 2.5 V (Note 3) ⎯ 63 80 D GSDrain-Source ON-resistance R mΩ DS (ON)I = 1.0 A, V = 1.8 V (Note 3) ⎯ 77 110 D GSI = 0.5 A, V = 1.5 V (Note 3) ⎯ 92 157 D GSInput capacitance C ⎯ 400 ⎯ issV = 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz pF Output capacitance C ⎯ 68 ⎯ oss DS GSReverse transfer capacitance C ⎯ 60 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 6.3 ⎯ gV = 10 V, I = 2.4 A DS DSGate−Source Charge Q ⎯ 4.3 ⎯ nC gsV = 4 V GSGate−Drain Charge Q ⎯ 2.0 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 14 ⎯ on V = 10 V, I = 2 A, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS G Turn-off time t ⎯ 15 ⎯ offDrain-Source forward voltage V I = −2.4 A, V = 0 V        (Note 3) ⎯ −0.85 -1.2 V DSF D GSNote 3: Pulse measurement  Switching Time Test Circuit  2.5 V 90%(a)Test circuit (b) V IN 10%  10 μs 0 V = 10 V I DD D2.5 VOUT VR = 4.7 ΩDDG IN  90%Duty ≤ 1% (c) V OUT 0V : t , t < 5 ns IN r f10% Common source VDS (ON) t tr fTa = 25°C  V t tDD on off     Usage Considerations Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to below (1 mA for the th D SSM5H90TU). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device. 3 2008-03-21 R GR LSSM5H90TU Planer Diodes

Multi-chip discrete device (N-ch + switching diode)