Multi-chip discrete device (N-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV I = 1 mA, V = 0 V 30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = −12 V 18 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ± 12 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 1.0 A (Note 2) 2.0 3.9 ⎯ S fs DS DI = 1.0 A, V = 4.0 V (Note 2) ⎯ 103 133D GSDrain–source ON-resistance R I = 0.8 A, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 125 177 mΩDS (ON)D GSI = 0.5 A, V = 1.8 V (Note 2) ⎯ 165 296D GSInput capacitance C ⎯ 123 ⎯ issOutput capacitance C V = 15V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 43 ⎯ pF DS GSossReverse transfer capacitance C ⎯ 18 ⎯ rssTotal gate charge Q ⎯ 1.9 ⎯ gV = 15V, I = 1.9 A DS DnC Gate-source charge Q ⎯ 1.1 ⎯ gsV = 4 V GSGate-drain charge Q ⎯ 0.8 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 9.2 ⎯ on V = 15 V, I = 1.0 A, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS G Turn-off time t ⎯ 6.4 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = -1.9 A, V = 0 V       (Note 2) ⎯ -0.83 -1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test  Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN 2.5V 90% OUT  2.5 V IN  10% 0 V0   VDD(c) V 10 μs OUT 90% V DD 10%  V = 15 V DDVDS (ON) R = 4.7 Ω t tG f r Duty≤ 1%  t t V : t , t < 5 ns on offIN r f Common Source  Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when the low operating current value is I 1 mA for th D =this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V requires a GS (on) th GS (off)lower voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Be sure to take this into consideration when using the device. 2 2014-03-01 R GSSM5H16TU Schottky Barrier Diode

Multi-chip discrete device (N-ch + SBD)