Multi-chip discrete device (N-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = 1 mA, V = 0 30 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = -20 V 15 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain Cut-off current I V = 30 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 5 V, I = 0.1 mA 1.0 ⎯ 2.4 V th DS DForward transfer admittance |Y| V = 5 V, I = 0.7 A (Note 4) 0.9 1.8 ⎯ S fs DS DI = 0.7 A, V = 10 V (Note 4) ⎯ 140 200D GSDrain-Source ON resistance R mΩDS (ON)I = 0.7 A, V = 4 V (Note 4) ⎯ 250 450D GSInput capacitance C V = 15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 106 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = 15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 15 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = 15 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 28 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = 15 V, I = 0.7 A ⎯ 18 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to 4 V, R = 10 Ω ⎯ 10 ⎯ GS GoffNote 4: Pulse measurement  Switching Time Test Circuit  4 V  90%(a)Test circuit (b) V IN 10%  10 μs 0 V = 15 V I DD D4 VOUT VR = 10 ΩDDG IN  90%Duty ≤ 1% (c) V OUT 0V : t , t < 5 ns IN r f10% Common source VDS (ON) t tr fTa = 25°C  V t tDD on off     Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = 100 μA for th D this product. For normal switching operation, V requires higher voltage than V and V requires GS (on) th GS (off)lower voltage than V . th(Relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration for using the device.   3 2014-03-01 R GR LSSM5H01TU Schottky Diode

Multi-chip discrete device (N-ch + SBD)