Multi-chip discrete device (P-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Conditions Min Typ. Max UnitV I = -1 mA, V = 0 V -20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V I = -1 mA, V = +8 V -12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ -10 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.3 ⎯ -1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -1 A (Note 2) 1.6 3.2 ⎯ S fs DS DI = -1.0 A, V = -4 V (Note 2) ⎯ 160 213 D GSDrain-source ON-resistance R mΩI = -0.8 A, V = -2.5 V (Note 2) ⎯ 210 294 DS (ON) D GSI = -0.1 A, V = -1.8 V (Note 2) ⎯ 280 430 D GSInput capacitance C ⎯ 250 ⎯ issOutput capacitance C V = -10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 43 ⎯ pF oss DS GSReverse transfer capacitance C ⎯ 35 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 6.4 ⎯ gGate−Source Charge Q V = -10 V, I = -1.5 A, V = -4 V ⎯ 4.5 ⎯ nC DS D GSgsGate−Drain Charge Q ⎯ 1.9 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 12 ⎯ on V = -10 V, I = -1 A, DD DSwitching time ns V = 0 to -2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 11.2 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = 1.5 A, V = 0 V        (Note 2) ⎯ 0.88 1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test  Switching Time Test Circuit 0 V(a) Test Circuit (b) V 10%IN OUT 0  IN 90%  −2.5 V −2.5V R L VDS (ON)90%  (c) V OUT10 μs V DD  V = − 10 V 10% DD V DD = 4.7 Ω RGt t   r fDuty ≤ 1%  V : t , t < 5 ns  IN r ft t on off Common Source  Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when the low operating current value is I −1 mA for th D =this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V requires a GS (on) th GS (off)lower voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Be sure to take this into consideration when using the device.  2 2014-03-01 R GSSM5G10TU Schottky Barrier Diode

Multi-chip discrete device (P-ch + SBD)