Multi-chip discrete device (P-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = −1 mA, V = 0 −12 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = −1 mA, V = +8 V −4 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain Cut-off current I V = −12 V, V = 0 ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = −3V, I = −0.1 mA −0.4 ⎯ −1.1 V th DS DForward transfer admittance |Y| V = −3 V, I = −0.5 A (Note 4) 1.3 2.5 ⎯ S fs DS DI = −0.5 A, V = −4 V  (Note 4) ⎯ 125 160D GSDrain-Source ON resistance R mΩDS (ON)I = −0.5 A, V = −2.5 V (Note 4) ⎯ 180 240D GSInput capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 310 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 70 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 110 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = −10 V, I = −0.5 A ⎯ 20 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to −2.5 V, R = 4.7 Ω ⎯ 32 ⎯ GS GoffNote 4: Pulse measurement  Switching Time Test Circuit (a) Test circuit (b) V IN0 V 10% V = −10 V DD0 OUT R = 4.7 ΩG 90%IN −2.5 VDuty ≤ 1% −2.5 VV : t , t < 5 ns IN r fVDS (ON)Common source 90% 10 μs (c) V OUTTa = 25°C 10% V DDVDDt tr ft ton off Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = −100 μA th D for this product. For normal switching operation, V requires higher voltage than V and V GS (on) th GS (off)requires lower voltage than V . th(Relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration for using the device.   3 2014-03-01 R GSSM5G02TU Schottky Diode

Multi-chip discrete device (P-ch + SBD)