Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode DC-DC Converter for DSCs and Camcorders SSM5G01TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode SSM5G01TU   DC-DC Converter for DSCs and Camcorders Unit: mm   
 Co-packaged Pch MOSFET and Schottky Diode. 
 Low R and Low V DS (ON) F  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
30 V DSGate-Source voltage V 20 V GSSDC I 
1.0 DDrain current A Pulse I (Note 2) 
2.0 DP P (Note 1) 0.5 DChannel temperature W  t  10s 0.8 Channel temperature T 150 C ch UFV    JEDEC ― Maximum Ratings (Ta 



 25°C) SCHOTTKY DIODE    JEITA ― TOSHIBA 2-2R1A Characteristics Symbol Rating Unit Weight: 7 mg (typ.) Maximum (peak) reverse voltage V 25 V RMReverse voltage V 20 V RAverage forward current I 0.5 A OPeak one cycle surge forward current I 2 (50 Hz) A FSM(non-repetitive) Junction temperature T 125 C j  Maximum Ratings (Ta 



 25°C) MOSFET, DIODE COMMON    Characteristics Symbol Rating Unit Storage temperature T 
55~125 C stgT oprOperating temperature 
40~100 C (Note 3)Note 1: Mounted on FR4 board 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm ) Note 2: The pulse width limited by max channel temperature. Note 3: Operating temperature limited by max channel temperature and max junction temperature.   1 2001-12-05 SSM5G01TU Marking Equivalent Circuit  5 4 5 4KEA 1 3 2 13 2 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. The Channel-to-Ambient thermal resistance R and the drain power dissipation P vary according to th (ch-a) Dthe board material, board area, board thickness and pad area are also affected by the environment in which the product is used. When using this device, please take heat dissipation fully into account. 2 2001-12-05 SSM5G01TU MOSFET

Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode DC-DC Converter for DSCs and Camcorders