Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta=25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitGate leakage current I V = ±12 V, V = 0 − − ±1 μA GSS GS DSV I = 1 mA, V = 0 20 − − (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = -12 V 10 − − (BR) DSX D GS− Drain cut-off current I V = 20 V, V = 0 − 10 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.5 − 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.25 A (Note2) 0.8 1.6 − S fs DS DI = 0.25 A, V = 4 V (Note2) ⎯ 175 205D GSDrain-Source on-resistance R mΩI = 0.25 A, V = 2.5 V (Note2) ⎯ 200 260DS (ON) D GSI = 0.10 A, V = 1.8 V (Note2) ⎯ 250 390D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz − 174 − pF iss DS GS− − Reverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz 25 pF rss DS GS− − Output capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz 31 pF oss DS GSTurn-on time t − 10 − on V = 10 V, I = 0.25 A, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS G Turn-off time t − 12 − offNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit  (b) V  IN2.5 V90%   out 2.5 V 10%in 0 V  (c) V OUTVDD0  90%  10 μs V 10% DD VDS (ON)t tf  rV = 10 V DD R = 4.7 Ω Gt t on off Duty ≤ 1% V : t , t < 5 ns  IN r fCommon Source  Ta = 25°C   Precaution V can be expressed as the voltage between the gate and source when the low operating current value is I = th D 1 mA for this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V GS (on) th GS (off)requires a lower voltage than V . (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on).Be sure to take this into consideration when using the device.   2 2014-03-01 R GSSM4K27CT      I – V D DS I – V D GS  1000 10000Common Source Common Source  Ta = 25°C V = 3 V DSPulse test  4V 1000 Pulse test 800   2.5V 100  600 Ta = 85°C 1.8V 10 400 25°C  1V = 1.2 V GS 200  −25°C  0.1  0 0.01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6   Drain - Source voltage  V  (V) DSGate - Source voltage  V  (V) GS       R – V R – I DS (ON) GS  DS (ON) D  300500 I = 0.25 A D Common SourceV = 1.8 V GS Pulse test  250400  2.5V  2004 V  300  15025°C 200 Ta = 85°C  100 −25°C  100 Common Source50Ta = 25°C  Pulse test  0 0 0 2 4 6 8 10 12 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0   Gate - Source voltage  V  (V) Drain current  I  (A) GS D      R – Ta  V – Ta DS (ON) th  500 1.2Common Source Common Source  Pulse test V = 3V DS 1.0I = 1mA 400 D  0.8I = 0.1A / V = 1.8 V D GS 300  0.6 200 0.25 A / 4 V 0.4 0.25 A / 2.5 V 100  0.2  0 0−50 0 50 100 150 −25 0 25 50 75 100 125 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2014-03-01 Drain – Source on-resistance Drain – Source on-resistance R  (mΩ) DS (ON)R  (mΩ) DS (ON) Drain current  I  (mA) D Drain – Source on-resistance Gate threshold voltage  V  (V) thDrain current  I  (mA) DR  (mΩ) DS (ON)SSM4K27CT      |Y | – I C – V fs D DS  30 500 300 10 C iss 1003   1 30 C  ossC rss 0.3  100.1  Common SourceCommon Source V = 3V Ta = 25°C DS 3f = 1 MHz Ta = 25°C 0.03  V = 0 V  GSPulse test  10.01 1 10 100 1000 10000 0.1 1 10 100   Drain current  I  (mA) Drain – Source voltage  V  (V) D DS       Dynamic Input Characteristic t – ID   10 1000Common Source  9 V = 10 V DD V = 0 ∼ 2.5V GS8 Ta = 25°C  7 R = 4.7 Ω Gt off1006  V = 10 V DD5  tf 4  3 10 ton2  Common Source 1 I = 0.5 A D Ta = 25°C tr 0 0 1 2 3 4 5  1Total gate charge  Q  (nC)  g0.01 0.1 1 10  Drain current  I  (A) D     I – V DR DSP – TaD   1.0 1.2 Common Source Mounted on FR4 board V = 0V  GS1.0 (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Ta = 25°C  20.8 Cu Pad: 645 mm ) Pulse test  D 0.8 0.6 I DR G 0.6 S 0.4  0.4  0.2 0.2  0 00 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2  0 50 100 150  Drain-Source voltage  V  (V) Ambient temperature Ta  (°C) DS 4 2014-03-01 Gate-Source voltage  V  (V) GSDrain reverse current  I  (A) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (S) DR fs  Capacitance  C  (pF) Switching time  t  (ns) Power dissipation P (W) DSSM4K27CT RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET