Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristics Symbol Test Condition Min Typ MaxUnitGate leakage current I V = ± 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ ± 10 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 60 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 60 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 10 V, I = 0.25 mA 1.0 ⎯ 2.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 10 V, I = 200 mA 170 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 500 mA, V = 10 V ⎯ 2.0 3.0 D GSDrain-Source ON resistance R I = 100 mA, V = 5 V ⎯ 2.1 3.2 Ω DS (ON) D GSI = 100 mA, V = 4.5 V ⎯ 2.2 3.3 D GSInput capacitance C ⎯ 17 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = 25 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 1.4 ⎯ pF DS GSrssOutput capacitance C ⎯ 5.8 ⎯ pF ossTurn-on delay time td ⎯ 2.4 4.0 (on) V = 30V, I = 200 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 10V Turn-off delay time td GS ⎯ 26 40 (off) Switching Time Test Circuit  10 V 90% (b) V IN(a) Test circuit OUT  IN  10V 10% 0 VR  L0 V DD 10% (c) V OUTV DD 10 μs  V = 30 V DD90% Duty ≤ 1%  VDS (ON)t tr f V : t , t < 2 ns  IN r f(Z = 50 Ω) out td(on)Common Source  td(off) Ta = 25°C    Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = 250 μA for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower voltage GS (on) th GS (off)than V . (Relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device.               2 2014-03-01 50 Ω SSM3K7002FU   ID - VDS ID - VGS10001000Common SourceCommon Source9004.5 4.0VDS=10VTa=25°C 5800 1007700 Ta=100°C10600103.35003.025°C -25°C40012.73002.5200 0.1100VGS=2.3V00.010 0.5 1 1.5 2 01 23 45Drain-Source voltage  VDS (V) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - VGSRDS(ON) - ID55Common Source Common SourceTa=25°CID=100mA44Ta=100°C335.0VVGS=4.5V25°C2210V-25°C110002 46 8 1010 100 1000Gate-Source voltage  VGS (V)Drain current  ID (mA)RDS(ON) - Ta Vth - Ta5 2Common Source1.8 Common SourceID=0.25mA4 1.6VDS=10VVGS=4.5V,ID=100mA1.43 1.2110V,500mA2 0.85.0V,100mA0.61 0.40.20 0-25 0 25 50 75 100 125 150 -25 0 25 50 75 100 125 150Ambient temperature  Ta (°C) Ambient temperature  Ta (°C)3 2014-03-01 Drain current  ID (mA)Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω)Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω)Drain current  ID (mA)Gate threshold voltage  Vth(V) Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω)SSM3K7002FU  |Yfs| - ID IDR - VDS 1000 1000Common Source900VGS=0V800Ta=25°C700D600G IDR100 500400S300Common source200VDS=10VTa=25°C10010 010 100 1000 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4Drain current  ID (mA) Drain-Source voltage  VDS (V)C - VDS t - ID100 10000Common SourceCommon SourceVGS=0VVDD=30Vf=1MHzVGS=0~10Vtf1000Ta=25°C Ta=25°CCiss10 100td(off)Coss10trtd(on)Crss1 10.1 1 10 100 1 10 100 1000Drain-Source voltage  VDS (V) Drain current  ID (mA)PD - Ta250mounted on FR4 board（25.4mm×25.4mm×1.6t2002Cu Pad：0.6mm ×3）1501005000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature  Ta (°C)4 2014-03-01 Forward transfer admittance|Yfs| (mS)Drain power dissipation  PD (mW)Capacitance  C (pF)Switching time  t (ns)Drain reverse current  IDR (mA)SSM3K7002FU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET