Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ MaxUnitGate leakage current I V = ± 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ ± 10 μA GSS GS DSDrain-source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 60 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cutoff current I V = 60 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 10 V, I = 0.25 mA 1.0 ⎯ 2.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 10 V, I = 200 mA 170 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 500 mA, V = 10 V ⎯ 2.0 3.0 D GSDrain-source ON-resistance R I = 100 mA, V = 5 V ⎯ 2.1 3.2 Ω DS (ON) D GSI = 100 mA, V = 4.5 V ⎯ 2.2 3.3 D GSInput capacitance C ⎯ 17 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = 25 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 1.4 ⎯ pF DS GSrssOutput capacitance C ⎯ 5.8 ⎯ pF ossTurn-on delay time td ⎯ 2.4 4.0 (on) V = 30 V ,  I = 200 mA , DD DSwitching time ns V = 0 to 10 V Turn-off delay time td GS ⎯ 26 40 (off) Start of commercial production2005-021 2014-03-01 2.9±0.2+0.2 1.91.1-0.10.950.950~0.10.3+0.10.16-0.06+0.10.4-0.05SSM3K7002F Switching Time Test Circuit  10 V (b) V 90 % (a) Test circuit INOUT  IN  10 V 10 % 0 VR L 0 V DD (c) V 10 % OUTV DD 10 μs  V = 30 V DD90 % Duty ≤ 1%  VDS (ON)t t  r fV : t , t < 2 ns IN r f (Z = 50 Ω) out td(on)Common Source  td (off)Ta = 25 °C    Marking Equivalent Circuit  (top view) 3 3      NC    1 2 12    Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =  0.25 mA th Dfor this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a GS (on) th, GS (off)lower voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 50 Ω SSM3K7002F  ID - VDS ID - VGS1000 1000Common SourceCommon Source9004.5 4.05 VDS = 10 VTa = 25 °C1008007700Ta = 100 °C10106003.35003.025 °C - 25 °C400 12.73002.5200 0.1100VGS = 2.3 V0 0.0100.51 1.52 012 345Drain-Source Voltage  VDS (V) Gate-Source Voltage  VGS (V)R (ON) - I R (ON) - VDS D DS GS5 5Common SourceCommon SourceI = 100 mAD Ta = 25 °C4 4Ta = 100 °C3 35.0 VVGS = 4.5 V25 °C2 210 V- 25 °C1 10 010 100 1000 024 68 10Drain Current  ID (mA) Gate-Source Voltage  VGS (V)RDS(ON) - Ta Vth - Ta52Common SourceCommon Source1.8ID = 0.25 mA41.6 = 10 VVDSVGS = 4.5 V , ID = 100 mA1.43 1.2120.810 V , 500 mA5.0 V , 100 mA0.61 0.40.20 0-25 0 25 50 75 100 125 150 -25 0 25 50 75 100 125 150Ambient Temperature  Ta (°C) Ambient Temperature  Ta (°C)3 2014-03-01 D rain-Source ON -R esistance D rain-Source ON -R esistance Drain Current  ID (m A)RDS(ON ) (Ω ) RDS(ON ) (Ω )D rain-Source ON -R esistance Drain Current  ID (m A)Gate Threshold Voltage  Vth(V)RDS(ON ) (Ω )SSM3K7002F  |Yfs| - ID IDR - VDS1000 1000Common SourceCommon source900VGS = 0 VVDS = 10 V800Ta = 25 °CTa = 25 °C700D600G IDR100 500S40030020010010 010 100 1000 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4Drain Current  ID (mA) Drain-Source Voltage  VDS (V)C - VDS t - ID100 10000Common SourceCommon SourceVGS = 0 VVDD = 30 Vf = 1 MHz VGS = 0 to 10 Vtf1000Ta = 25 °C Ta = 25 °CCiss10 100Cosstd(off)10trtd(on)Crss1 10.1 1 10 100 1 10 100 1000Drain-Source Voltage  VDS (V) Drain Current  ID (mA)P - TaD2502001501005000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient Temperature  Ta (°C)4 2014-03-01 Forw ard Transfer Adm ittanceD rain Pow er D issipation  P D (m W)|Yfs| (m S)Capacitance  C (pF)Sw itching Tim e  t (ns)D rain R everse C urrent  IDR (m A)SSM3K7002F RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET