Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitV I = 1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage VV I = 1 mA, V = -10 V 12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 100mA    (Note 2) 0.14 0.28 ⎯ Sfs DS DI = 100 mA, V = 4.5 V (Note 2) ⎯ 1.65 2.20 D GSI = 50 mA, V = 2.5 V  (Note 2) ⎯ 2.16 3.02 D GSDrain-source ON-resistance R ΩDS (ON)I = 20 mA, V = 1.8 V  (Note 2) ⎯ 2.66 4.05 D GSI = 10 mA, V = 1.5 V  (Note 2) ⎯ 3.07 5.60 D GSInput capacitance C ⎯ 12 ⎯ issOutput capacitance C V = 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 5.5 ⎯ pFDS GSossReverse transfer capacitance C ⎯ 4.1 ⎯ rssTurn-on time t V = 10 V, I = 100 mA ⎯ 18 ⎯ on DD DSwitching time nsTurn-off time t V = 0 to 2.5 V, R = 50 Ω ⎯ 36 ⎯ GS Goff⎯ Drain-source forward voltage V I = -250 mA, V = 0 V  (Note 2) -0.9 -1.2 VDSF D GSNote2: Pulse test   Switching Time Test Circuit  (a) Test Circuit (b) V IN2.5 V 90%  V = 10 V DD2.5 V OUT R = 50 Ω G 10% IN 0 V Duty ≤ 1%  0 V : t , t < 5 ns IN r f VDDCommon Source (c) V 90%  OUT10 μs Ta = 25°C  10%  V DDVDS (ON)t tr f  t t on off  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = 1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th. GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device. Do not use this device under avalanche mode. It may cause the device to break down.  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 R GSSM3K37MFV    I – V I – V D DS D GS 500 100010 V 100400 4.5 V 2.5 V Ta = 100 °C300 101.8 V1.5 V200 1− 25 °CVGS = 1.2 V25 °C 100 0.1Common Source Common Source V = 3 V DSTa = 25 °C 0 0.010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 1.0 2.0 3.0 Drain-source voltage  V  (V) DS Gate-source voltage  V  (V) GS  R – VDS (ON) GS  R – I DS (ON) D 6 6I =100mA Common SourceDCommon Source Ta = 25°C 5 54 41.5 V1.8 V25 °C 3 32.5VTa = 100 °C2 2VGS = 4.5Ｖ1 − 25 °C 10 00 2 6 4 8 10 0 200 100 300 400 500Gate-source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D  R – Ta  V – Ta DS (ON) th 5 1.0Common Source I = 10m A / V = 1.5 VCommon Source D GSV = 3 V DS20m A / 1.8 V 4 I = 1 mA D50m A / 2.5 V3 0.52 100m A / 4.5 V1 0 0−50 0 50 100 150−50 0 50 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01 Drain-source ON-resistance  Drain-source ON-resistance R  (Ω) DS (ON)Drain current  I  (mA) R  (Ω) DDS (ON) Gate threshold voltage  V  (V) Drain-source ON-resistance th Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON) SSM3K37MFV   I – V DR DS|Y | – I fs D 1000 1000Common Source V = 3 V DSTa = 25°C 300 10025 °C100 10Common SourceTa =100 °CV = 0 V GS D  30 1G IDR−25 °C S 0.110 100 1000 0 –0.5 –1.0 –1.51 10 Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) D DS   C – V DS t – ID  1000100 Common Sourcet offV = 10 V DD50 V = 0 to 2.5 VGSTa = 25 °C tf30 R = 50Ω G100Ciss 10 tC onoss5 103 Common Source trCrss Ta = 25°C f = 1 MHz V = 0 V GS1 10.1 1 10 100 1 10 100 1000 Drain-source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D P – T D a 250 Mounted on a FR4 board 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.585 mm ) 200 150 100 50 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 140 120 160 Ambient temperature  Ta  (°C) 4 2014-03-01 Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) Drain power dissipation P (mW) fsD Capacitance  C  (pF) Drain reverse current  I  (mA) Switching time  t  (ns) DRSSM3K37MFV RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET