Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±10 μA GSS GS DSDrain–source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 50 mA       (Note 2) 115 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = 50 mA, V = 4 V       (Note 2) ⎯ 1.5 3 D GSI = 50 mA, V = 2.5 V     (Note 2) ⎯ 2 4 D GSDrain–source ON-resistance R Ω DS (ON)I = 5 mA, V = 1.5 V      (Note 2) ⎯ 3 8 D GSI = 5 mA, V = 1.2 V      (Note 2) ⎯ 5 20 D GSInput capacitance C ⎯ 9.5 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 4.1 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 9.5 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 115 ⎯ on V = 3 V, I = 50 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V GSTurn-off time t ⎯ 300 ⎯ offDrain–source forward voltage V I = - 180 mA, V = 0 V     (Note 2) ⎯ -0.9 -1.2V DSF D GSNote 2: Pulse test Start of commercial production2008-011 2014-03-01 1.2±0.050.8±0.050.5±0.050.4 0.40.22±0.050.32±0.050.13±0.05SSM3K35MFV Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 VOUT90%2.5 V IN 10%  0R 0 VL 10 μs V DD (c) V V OUT DD10%  V = 3 V DD Duty ≤ 1% 90%  V : t , t < 5 ns VIN r fDS (ON)t t   r f(Z = 50 Ω) out Common Source t t  on off Ta = 25°C   Marking Equivalent Circuit (top view)  3 3     KZ     1 2 1 2  Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = 1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th. GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 50 Ω SSM3K35MFV    I – V I – V D DS D GS1000400 Common Source Common Source10 4 2.5 Ta = 25°C V = 3 V DS100300 1.8Ta = 100°C10200 25°C−25°C11.5100 0.1V = 1.2 VGS0 0.010 0.5 12 1.5 02 1 3Drain–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) DS GS  R – V R – V DS (ON) GS DS (ON) GS10 10Common Source Common Source I = 5 mA I = 50 mA D D5 525°C 25°C Ta = 100°CTa = 100°C−25°C −25°C0 00 4 2 6 8 10 0426 8 10Gate–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) GS GS  R – I R – Ta DS (ON) D DS (ON)10 10Common Source Common Source Ta = 25°C V = 1.2 V, I = 5 mAGS DV = 1.2 V GS5 51.5 V 1.5 V, 5 mA2.5 V 2.5 V, 50 mA4 V 4 V, 50 mA0 01 10 100 1000 −50 0 50 100 150Drain current  I  (mA) Ambient temperature  Ta  (°C) D 3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) Drain–source ON-resistance DR  (Ω) DS (ON)R  (Ω) DS (ON) Drain–source ON-resistance Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) R  (Ω) DS (ON) DS (ON)SSM3K35MFV    ⎪Y ⎪ – I fs DV – Ta th1.0 Common Source 500I = 1 mA DV = 3 V DS 300100500.5 30105Common Source 3V = 3 V DSTa = 25°C 10 1 10 100 1000−50 50 0 100 150Drain current  I  (mA) DAmbient temperature  Ta  (°C)   I – V C – V DR DS DS100 100Common Source  V = 0 V GS50D 100 I DRG S 25°C 10 10C issTa = 100°C −25°C 1 5C ossCommon Source V = 0 V GS0.1 f = 1 MHz C rssTa = 25°C 10.1 0.5 1 10 5 50 100 0.01 0 −0.5 −1 −1.5Drain–source voltage  V  (V) Drain – Source voltage  V  (V) DS DS  t – I DP – Ta D5000 250Mounted on FR4 board Common Sourcet off (25.4mm × 25.4mm × 1.6t , 3000 2V = 3 V Cu Pad : 585 mm ) DDV = 0 to 2.5 VGS200Ta = 25°C t f1000 500 150300 100t on100 50 t r5030 10 00.1 1 10 100 1000 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature  Ta  (°C) Drain current  I  (mA) D 4 2014-03-01    Drain reverse current  I  (mA) DRSwitching time  t  (ns) Gate threshold voltage  V  (V) th   Drain Power Dissipation  P  (mW) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) D fsCapacitance  C  (pF) SSM3K35MFV RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET