Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) １Characteristic Symbol Rating Unit ２３Drain-Source voltage V 30 V DSS Gate-Source voltage V ±20 V GSS DC I (Note1) 4.2 D Drain current A Pulse I (Note1) 8.4 DP P (Note 2) 700 D Drain power dissipation mW  t = 5s 1400 Channel temperature T 150 °C  ch1: Gate Storage temperature range T −55 to 150 °C stg 2: Source TSM Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high 3: Drain temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the JEDEC ― reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute JEITA ― maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the TOSHIBA 2-3S1A Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual Weight: 10mg (typ.) reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). Note 1: The junction temperature should not exceed 150°C during use. 2Note 2: Mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )   Marking Equivalent Circuit (top view) 3 3 KDZ 1 2 12  Start of commercial production2009-071 2014-03-01 2.9±0.21.9±0.20.7±0.050.950.950～0.10.150.4±0.10.16±0.05SSM3K320T

Small-signal MOSFET