Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) ２３Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 20 V DS Gate-Source voltage V ± 10 V GSS DC I 5.0 D Drain current A Pulse I 10.0 DP Drain power dissipation P 700 mW D (Note 1) Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T −55~150 °C 1.GATEstg 2.SOURCENote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high TSM3.DRAINtemperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly JEDEC ― even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/ voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET

Small-signal MOSFET absolute maximum ratings. JEITA ― Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba TOSHIBA 2-3S1A Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test Weight: 10 mg (typ.) report and estimated failure rate, etc). Note 1:  Mounted on an FR4 board. 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )

Small-signal MOSFET