Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitV I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain–source breakdown voltage VV I = 1 mA, V = -12 V 12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V =20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 4.0A      (Note2) 13 25 ⎯ Sfs DS DI = 4.0 A, V = 4.0 V   (Note2) ⎯ 22 31 D GSDrain–source ON-resistance R mΩI = 3.0 A, V = 2.5 V   (Note2) ⎯ 25 35 DS (ON) D GSI = 1.0 A, V = 1.8 V   (Note2) ⎯ 30 47 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 1020 ⎯ pFiss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 175 ⎯ pFoss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 160 ⎯ pFrss DS GSTurn-on time t ⎯ 23 ⎯ on V = 10 V, I = 2A DD DSwitching time nsV = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G 34 off ⎯ ⎯ Drain–source forward voltage V I = -4.7 A, V = 0      (Note2) -0.85 -1.2 VDSF D GS ⎯ Note2: Pulse test Start of commercial production2006-081 2014-03-01 SSM3K309T Switching Time Test Circuit  (b) VIN (a) Test Circuit 2.5 V 90% 2.5 V OUT  10% IN V = 10 V DD0 V  R = 4.7 ΩG 0 Duty ≤ 1% VDD90%  V : t , t < 5 ns 10 μs IN r f(c) V OUTCommon source  10% Ta = 25°C V  DDVDS (ON)t tr f   t ton off   Marking Equivalent Circuit (top view) 3 3     KDM    1 2 1 2   Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = 1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth.  (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.   Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 R GSSM3K309T    I – V D DSI – V D GS10 104.0 V 2.5 V 1.8 V Common Source 1.5 VV = 3 V DS8 1 6 0.1Ta = 100 °C4 0.0125 °C V = 1.2 VGS2 0.001− 25 °C Common Source Ta = 25 °C 0 0.00010 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0 1.0 2.0 Drain - Source voltage  V  (V) DSGate - Source voltage  V  (V) GS R – VDS (ON) GS R – I DS (ON) D100 100Common Source I =4.0A DTa = 25°C Common Source 50 501.8 V 25 °C Ta = 100 °C2.5 V V = 4.0 V GS− 25 °C 0 00 2 6 8 10 0 2 6 8 104 4 Gate - Source voltage  V  (V) Drain current  I  (A) GS D  V – Ta thR – Ta DS (ON)1.0100 Common Source Common Source V = 3 V DS0.8 I = 1 mA D0.61.0 A / 1.8 V 50 3.0 A / 2.5 V 0.4I = 4.0 A / V = 4.0 V 0.2D GS00 −50 50 100 1500−50 0 50 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01 Drain – Source on-resistance Drain – Source on-resistance R  (mΩ) DS (ON)R  (mΩ) DS (ON)Drain current  I  (A) DDrain – Source on-resistance Gate threshold voltage  V  (V) Drain current  I  (A) th DR  (mΩ) DS (ON)SSM3K309T    I – V DR DS|Y | – I fs D30 10Common Source Common Source  VGS = 0 V D10 V = 3 V DS Ta = 25 °C IDR1Ta = 25 °C  3 GS1 0.10.3 0.010.1 100 °C0.0010.03 25 °C−25 °C 0.01 0.00010.001 0.01 0.1 1 10 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.0 .2 Drain current  I  (A) DDrain-Source voltag  V  (V) DS   t – ID C – V DS10005000 Common Source t3000 off V = 10 V DDV = 0 ∼ 2.5 V GSC iss Ta = 25 °C tf1000 R = 4.7 Ω G100300 C osston100 C rss10 trCommon Source 30 Ta = 25 °C f = 1 MHz V = 0 V GS10 10.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10Drain current  I  (A) DDrain – Source voltage  V  (V) DS  r – tth w P – T D a1000 1000a: Mounted on FR4 board (25.4mm × 25.4mm × 1.6t ,  b 2Cu Pad : 645 mm ) b: Mounted on FR4 board 800 (25.4mm × 25.4mm × 1.6t ,  2Cu Pad : 0.8 mm ×3) a 100 a 600b 400Single Pulse 10  a: Mounted on FR4 board (25.4mm × 25.4mm × 1.6t ,  2Cu Pad : 645 mm ) 200b: Mounted on FR4 board (25.4mm × 25.4mm × 1.6t ,  2Cu Pad : 0.8 mm ×3) 1 00.001 0.01 0.1 1 10 100 1000-40 -20 0 20 40 60 80 100 140 120 160 Pulse width  t  (s) wAmbient temperature  T  (°C) a4 2014-03-01 Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (S) fsCapacitance  C  (pF) Transient thermal impedance Rth (°C/W) Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (A) DRDrain power dissipation P (mW) D SSM3K309T RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET