Small-signal MOSFET absolute maximum ratings. Weight: 10 mg (typ.) Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). Note 1:  Mounted on an FR4 board. 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )

Small-signal MOSFET

Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit  V 20 V Drain-Source voltage DS /Package V ± 12 V Gate-Source voltage GSS DC I 3.5 D Drain current A Pulse I 7.0 DP P 700 mW Drain power dissipation D (Note 1) T 150 °C Channel temperature ch T −55 to 150 °C Storage temperature range stg Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in JEDEC ― temperature, etc.) may cause this product to decrease in the JEITA ― reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the TOSHIBA 2-3S1A

Small-signal MOSFET