Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.6 ⎯ 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 10 mA 40 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = 10 mA, V = 4 V ⎯ 1.5 3.0 D GSDrain-Source ON-resistance R I = 10 mA, V = 2.5 V ⎯ 2.2 4.0 Ω DS (ON) D GSI = 1 mA, V = 1.5 V ⎯ 5.2 15 D GSInput capacitance C V = 3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 9.3 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 4.5 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = 3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 9.8 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t ⎯ 70 ⎯ on V = 3 V, I = 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V Turn-off time t GS ⎯ 125 ⎯ off Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN2.5 V90% OUT2.5 V IN10% 0 V0 R L(c) V V 10 μs OUT DDVDD10% V = 3 V DDDuty ≤ 1% 90% VDS (ON)V : t , t < 5 ns IN r ft t  r f(Z = 50 Ω) outCommon Source t t  on offTa = 25°C  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I 100 μA for th D = this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V (The relationship can be established as follows: V < V < V .) th. GS (off) th GS (on)Take this into consideration when using the device.   2 2014-03-01 50 Ω SSM3K16CT     I – V I – V D DS D GS 250 1000 Common source Common source2.5  Ta = 25°C V = 3 V DS4 3 2.3 200 100 10 2.1  1.9Ta = 100°C 150 10 25°C 1.7 −25°C100 1  1.550 0.1  V = 1.3 VGS 0 0.010 0.5 12 1.5 02 1 3  Drain-Source voltage  V  (V) Gate-Source voltage  V  (V) DS GS       R – I R – V DS (ON) D DS (ON) GS 12 6Common source Common source  Ta = 25°C I = 10 mA D 10 5  8 4 V = 1.5 V  GS6 3 Ta = 100°C  4 2 25°C 2.5 V 2 1−25°C  4 V 0 01 10 100 1000 0426 8 10  Drain current  I  (mA) Gate-Source voltage  V  (V) D GS        R – Ta V – Ta DS (ON) th 8 2Common source  Common source I = 0.1 mA D  V = 3 V DS1.6 6 V = 1.5 V, I = 1 mA  GS D  1.2 4  0.8  2.5 V, 10 mA 2 4 V, 10 mA 0.4    0 0−25 50 0 75 25 100 125 150 −25 0 25 50 75 100 125 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2014-03-01 Drain-Source ON-resistance Drain-Source ON-resistance  R  (Ω) R  (Ω) Drain current  I  (mA) DS (ON) DS (ON) D       Drain-Source ON-resistance  Gate threshold voltage  V  (V) R  (Ω) Drain current   I  (mA) th DS (ON) D      SSM3K16CT     ⎪Y ⎪ – I I – V fs D DR DS 500 250Common source  Common source 300 V = 0 V GS V = 3 V DSTa = 25°C Ta = 25°C 200 100 D  50  150IDR30 G S 10010   5 50 3   1 01 10 100 1000 0 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1 −1.2 −1.4  Drain current    I  (mA) Drain-Source voltage  V  (V) D DS       C – V t – I DS D 100 5000Common source 3000V = 3 V 50 DD V = 0~2.5 V GS30 toffTa = 25°C  1000 10 500 tfC iss300 5 C oss 3 C 100 rssCommon source ton V = 0 V 1 GS 50 f = 1 MHz t30 r0.5 Ta = 25°C  0.3  0.1 1 0.3 3 0.5 5 50 10 30 100 100.1 1 10 100  Drain-Source voltage  V  (V) DS Drain current  I  (mA) D        P – Ta D250 Mounted on FR4 board (10 mm × 10 mm × 1.0 t, Cu 2Pad: 100 mm ) 200 150 100 50 0 0 20 60 40 80100 120 140 160 Ambient temperature  Ta  (°C)  4 2014-03-01    Forward transfer admittance   Drain power dissipation  P  (mW) Capacitance  C  (pF) ⎪Y ⎪  (mS) D fs       Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DR    SSM3K16CT RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET