SSM3K123TU

Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 1Characteristics Symbol Rating Unit 32Drain-Source voltage V 20 V DSS Gate-Source voltage V ± 10 V GSS  DC I 4.2 D Drain current A  Pulse I 8.4 DP P 800 D (Note 1) Drain power dissipation mW P 500 D (Note 2) Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T −55~150 °C  stg1: Gate Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of 2: Source high temperature/current/voltage and the significant change in UFM 3: Drain temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the JEDEC JEDEC ――

Small-signal MOSFET