Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V  I = 1 mA, V = −12 V 18 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±12V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.5 ⎯ 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.25 A (Note3) 1 2 ⎯ S fs DS DI = 0.5 A, V = 4.5 V (Note3) ⎯ 75 100 D GSDrain-Source on-resistance R mΩ DS (ON)I = 0.25 A, V = 2.5 V (Note3) ⎯ 95 135 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 245 ⎯ pF iss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 41 ⎯ pF oss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 33 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t ⎯ 9 ⎯ V = 10 V, I = 0.25 A, on DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 15 ⎯ offDrain-Source forward voltage V I = −2.2A, V = 0 V        (Note3) ⎯ −0.83 -1.2 V DSF D GSNote3: Pulse test Start of commercial production2005-061 2014-03-01 2.0±0.10.65±0.050.7±0.050.166±0.05+0.10.3-0.05SSM3K116TU  Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90%OUT 2.5 V IN 10% 0 V0 VDD(c) V 10 μs OUT10% V DD90% V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω tt G r fDuty ≤ 1% t tV : t , t < 5 ns on off IN r fCommon Source Ta = 25°C    Marking                Equivalent Circuit (top view)  3 3    KK9     1 2 1 2  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =0.1mA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th, GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices which are not yet mounted on a circuit board, be sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.            2 2014-03-01 R GSSM3K116TU   ID - VGSID - VDS51010 4.5 2.5411.83 0.1 Ta=100°CVGS=1.5V2 0.0125°C-25°C0.0011Common SourceCommon SourceTa=25°CVDS=3V0.000100 0.2 0.4 0.6 0.8 1012 3Drain-Source voltage  VDS (V) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - ID RDS(ON) - VGS200400Common Source Common Source180350ID=0.5ATa=25°C1603001402501202.5V200100VGS=4.5V8015025°C60Ta=100°C100405020-25°C00012 3 4567 8 9 1001 23 45Drain current  ID (A) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - TaVth - Ta300 1Common SourceCommon SourceID=0.1mA2500.8VDS=3V2000.62.5V,0.25A1500.4100VGS=4.5V,ID=0.5A0.25000-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature  Ta (°C)Ambient temperature  Ta (°C)3 2014-03-01 Drain-Source on-resistance Drain-Source on-resistanceDrain current  ID (A) RDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ)Drain-Source on-resistance Drain current  ID (A) RDS(ON) (mΩ)Gate threshold voltage  Vth(V)SSM3K116TU   IDR - VDS|Yfs| - ID1010Common SourceVGS=0VTa=25°C25°CD1-25°CG IDRTa=100°C1S0.1Common SourceVDS=3VTa=25°C00.010.01 0.1 1 100 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1Drain-Source voltage  VDS (V)Drain current  ID (A)C - VDS t - ID1000 1000Common SourceCommon SourceVGS=0VVDD=10Vf=1MHzVGS=0~2.5VTa=25°CTa=25°CCiss 100toff100tf10tonCossCrsstr10 10.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10Drain current  ID (A)Drain-Source voltage  VDS (V)Rth - twPD - Ta10001000a: mounted on FR4 board(25.4mm×25.4mm×1.6mm)cCu Pad :25.4mm×25.4mmbb:mounted on ceramic board800(25.4mm×25.4mm×0.8mm)bCu Pad :25.4mm×25.4mm100a600Single pulseaa:Mounted on ceramic board(25.4mm×25.4mm×0.8mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mm400b:Mounted on FR4 board10(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mmc:Mounted on FR4 Board200(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :0.45mm×0.8mm×3100.001 0.01 0.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160Pulse w idth tw (S)Ambient temperature Ta(°C)4 2014-03-01 Forward transfer admittanceCapacitance  C (pF)Drain power dissipation PD(mW)|Yfs| (S)Transient thermal impedance Rth(°C/W)Switching time  t (ns) Drain reverse current  IDR (A)SSM3K116TU  RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET