Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V  I = 1 mA, V = −12 V 12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 2.0 A (Note 3) 6 10 ⎯ S fs DS DI = 2.0 A, V = 4.0 V (Note 3) ⎯ 44 56 D GSDrain-Source ON-resistance R mΩ I = 1.0 A, V = 2.5 V (Note 3) ⎯ 53 74 DS (ON) D GSI = 0.5 A, V = 1.8 V (Note 3) ⎯ 70 110 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 320 ⎯ pF iss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 62 ⎯ pF oss DS GSpF Reverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 51 ⎯ rss DS GSTurn-on time t ⎯ 18 ⎯ on V = 10 V, I = 2 A, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G 14 off ⎯ ⎯ Drain-Source forward voltage V I = −3.0 A, V = 0 V        (Note 3) −0.85 V DSF D GS ⎯ −1.2Note 3: Pulse test Start of commercial production2005-021 2014-03-01 2.0±0.10.65±0.050.7±0.050.166±0.05+0.10.3-0.05SSM3K104TU Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90%OUT 2.5 V IN 10% 0 V0 VDD(c) V OUT10 μs 10% V DD90% V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω tt G r fDuty ≤ 1% t tV : t , t < 5 ns on off IN r fCommon Source Ta = 25°C    Marking                Equivalent Circuit (top view)  3 3    KK4     1 2 1 2   Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = 1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th, GS (off)voltage than V (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th. GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials.           2 2014-03-01 R GSSM3K104TU  ID - VGSID - VDS1061.810 4.0 2.5511.54Ta = 85 °C0.1325 °C0.012VGS = 1.2 V-25 °C0.0011Common SourceCommon SourceTa = 25 °CVDS = 3 V0 0.00010 0.2 0.4 0.6 0.8 1 01 2Gate-Source Voltage VGS  (V)Drain-Source Voltage VDS  (V)RDS(ON) - VGSRDS(ON) - Ta140200Common SourceCommon Source180Ta = 25 °C120160100140120 1.8 V , 0.5 A801001 A 2.5 V , 1 A608060 VGS = 4 V , ID = 2 A402 AID = 0.5 A4020200001 23 45 67 89 10-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Gate-Source Voltage VGS  (V)Ambient Temperature Ta ( )℃RDS(ON) - IDVth - Ta1401Common SourceID = 1 mA120VDS = 3 V0.81000.6801.8 V602.5 V0.4VGS = 4 V400.2Common Source20Ta = 25 °C0001 2 34 56-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Drain Current ID (A) Ambient Temperature Ta (°C)3 2014-03-01 Drain-Source ON-ResistanceDrain-Source ON-ResistanceRDS(ON)  (mΩ) RDS(ON)  (mΩ)Drain Current ID (A)Drain-Source ON-ResistanceDrain Current ID (A) RDS(ON)  (mΩ)Gate Threshold Voltage Vth (V)SSM3K104TU    |Yfs| - IDIDR - VDS100.010 Common SourceVGS = 0 V Ta = 25 °C1 -25 °CD10.0 25 °C 25 °CG ID R-25 °C0.1 Ta = 85 °CS 1.0Ta = 85 °C 0.01Common SourceVDS = 3 V Ta = 25 °C 0.10.001 0.01 0.1 1 100 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1Drain-Source Voltage VDS (V)Drain Current ID (A)  t - IDC - VDS10001000 Common Source VDD = 10 VVGS = 0 to 2.5 Vtoff CissTa = 25 °C100 tf 100 tonCoss10 CrssCommon Sourcetr VGS = 0 Vf = 1 MHz Ta = 25 °C10 1 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 Drain Current ID (A)Drain-Source Voltage VDS (V)  Rth - twPD - Ta 10001000a: Mounted on an FR4 board (25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm)cb Cu Pad: 25.4 mm x 25.4 mm) 800b: Mounted on a ceramic board(25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm)b Cu Pad: 25.4 mm x 25.4 mm100a600 Single pulseaa: Mounted on a ceramic board (25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm)400Cu Pad: 25.4 mm x 25.4 mm) 10 b: Mounted on an FR4 board(25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm)Cu Pad: 25.4 mm x 25.4 mm) 200c: Mounted on an FR4 board(25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm) Cu Pad: 0.45 mm x 0.8 mm x 310 0.001 0.01 0.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160 Pulse Width tw (S)Ambient Temperature Ta (°C)4 2014-03-01 Forward Transfer AdmittanceDrain Power Dissipation PD (mW)Capacitance C (pF) |Yfs|  (S)Drain Reverse Current IDR  (A)Transient Thermal Impedance Rth (°C/W)Switching Time t (ns)SSM3K104TU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET