Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small package 
 Low on resistance  : R = 0.7 Ω (max) (@V = 10 V) on GS : R = 1.2 Ω (max) (@V = 4 V) on GS Maximum Ratings   (Ta 



 25°C)  Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 30 V DS Gate-Source voltage V 
20 V GSS DC I 400 D Drain current mA Pulse I 800 DP Drain power dissipation (Ta  25C) P (Note1) 150 mW D Channel temperature T 150 C  chStorage temperature T 55~150 C JEDEC ― stg JEITA SC-70 Note1: Mounted on FR4 board 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.6 mm  3)  Figure 1. TOSHIBA 2-2E1E  Weight: 0.006 g (typ.)   Marking Equivalent Circuit 25.4 mm 

 25.4 mm 

 1.6 t, Figure 1: 

 

2 (top view) Cu Pad: 0.6 mm 



 33 30.6 mm 1.0 mm D J 1 2 1 2 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. 1 2002-01-24 SSM3K09FU

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications